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掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶有相似的结构，但有电导性。掺铌钛酸锶的电阻率在0.1 - 0.001 W-cm之间变化随着掺铌浓度在0.1-0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。 相关产品 BiOBr/Bi2S3复合材料 Bi2S3/Bi12O15Cl6异质光催化剂 Bi2S3/Bi4O5I2复合材料 Bi2S3/三维大孔石墨烯复合材料 Bi2S3/Bi2O2CO3异质结 E-Bi2S3/SnS2复合材料 可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片，如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.   产地 ：西安 纯度：99% 温馨提示：仅用于科研，不能用于人体实验！ 小编：ysl2022.04.28